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新洁能电动汽车电控中的应用MOS和IC型号推荐
在电动传动系统中，逆变器控制电机。这是电动汽车中的一个关键部分，就像燃油车辆的发动机管理系统(EMS)一样。无论电机是同步的、异步的还是无刷直流的，逆变器的工作方式都是相似的，由集成VCU控制，其设计目的是最大限度地减少开关损耗，提高热效率。逆变器不仅驱动电机，还能回收动能，并将能量反馈给电池。因此，逆变器的工作效率直接影响到整车运行效率。2022-11-22 -
新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品介绍
SGT技术本身是一种先进的制造工艺，通过减小场效应晶体管的寄生电容及导通电阻，提升了芯片性能，并减少了芯片面积。与传统的沟槽型MOSFET相比，SGT技术能够在相同功耗下将芯片面积减少40%甚至更多。之前有相关文章介绍了新洁能N沟道SGT-I和SGT-II系列产品，今天来介绍新洁能新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品。2024-12-10 -
为您介绍新洁能车规级IGBT产品NCEA50ED65BT，NCEA75ED120BT，NCEA40ED120BT，NCEA40ED65BT，NCEA75ED65BT，NCEA100ED65BT，NCEA40ED75BT
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级IGBT器件，其覆盖范围为600V至1200V，均已通过AEC-Q101认证。基于先进的功率器件设计与晶圆制造技术，稳定可靠的封装技术，优异的质量管控，新洁能车规级IGBT产品NCEA50ED65BT，NCEA75ED120BT，NCEA40ED120BT，NCEA40ED65BT，NCEA75ED65BT，NCEA100ED65BT，NCEA40ED75BT目前已广泛应用在汽车领域，为汽车电子设计工程师提供了全面的产品选择。2024-12-09 -
新洁能1200-1400V IGBT系列产品信息/样品申请/最新IGBT价格
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1400V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。N沟道1200-1400V系列IGBT产品封装范围包括TO-264、TO-3P、TO-247等。2024-12-07 -
新洁能SiC MOSFET系列产品NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4
南山电子代理品牌新洁能（NCE）在目前已开发完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证，并实现小规模销售；并已开发更多的第三代半导体芯片代工厂，相关产品已实现工程产出。新洁能SiC MOSFET系列产品具体型号为：NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NC2024-12-06 -
新洁能车规级 MOSFET系列产品中文资料/Auto MOS管选型推荐/样品申请
南山电子代理品牌新洁能致力于为客户提供“零”缺陷的汽车功率器件产品，其提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOSFET器件电压覆盖范围为-150V至1050V，车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。2024-12-05 -
新洁能12-300V NP MOSFET系列产品介绍/免费样品/选型支持-新洁能代理
新洁能提供的12V~300V NP MOSFET系列产品，采用了先进的工艺制造技术和优化的器件结构，结合了N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的优点，具有出色的电气性能和广泛的应用领域。南山电子是新洁能公司授权代理商，仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，以下是新洁能12-300V NP MOSFET系列产品介绍, 如需选型支持可以联系南山半导体官方网站在线客服。2024-12-04 -
新洁能500-1050V N沟道超结 MOSFET系列产品介绍/选型资料/最新价格
超结技术是一种创新的半导体结构，通过优化电荷分布来降低导通电阻，同时保持高击穿电压，新洁能是国内率先掌握超结理论技术并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一。以下是新洁能代理商南山电子整理的新洁能500-1050V N沟道超结MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品请联系我们18251882769（唐经理）或者联系网站客服。2024-12-03 -
新洁能1500-1700V N沟道功率 MOSFET系列产品选型资料/免费样品/价格
南山电子代理品<a href="http://www.nscn.com.cn/NCE/">牌无锡新洁能股份有限公司</a>（以下简称“新洁能”）推出的<strong>新洁能1500V和1700V N沟道功率MOSFET系列产品</strong>，专为高电压、大功率应用而设计。该系列产品不仅具有出色的电气性能，还具备高可靠性和长寿命的特点，适用于各种恶劣工况下的应用。 南山电子为新洁能授权代理商/经销商，可以为您快速提供小批量<strong>新洁能1500-1700V N沟道功率 MOSFET系列产品</s2024-12-02 -
新洁能12-150V P沟道MOSFET系列产品介绍 - 新洁能（NCE）mos管代理
新洁能（NCE）是一家国内领先的功率半导体企业，专注于MOSFET和IGBT等产品的研发和生产。公司产品线非常丰富，涵盖了从低电压到高电压的各类MOSFET产品，包括N沟道、P沟道以及N+P沟道MOSFET。以下是新洁能授权代理商/经销商-南山电子整理的新洁能12-150V P沟道MOSFET系列产品介绍, 并为该系列型号快速提供小批量样品和最新价格报价，欢迎通过南山电子官网在线咨询或致电400-888-5058。2024-11-30 -
新洁能12-300V N沟道MOSFET系列产品介绍 /选型资料/订货价格
南山电子代理品牌新洁能（NCE）是国内MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）品类最齐全且产品技术领先的公司，公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。以下是新洁能12-300V N沟道MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品，可以联系南山半导体官方网站在线客服索取。2024-11-29 -
适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管
对于DC-DC转换器的效率提升，需要有低电压、大电流的MOS管来优化代换。同步整流技术通过使用具有低导通电阻的功率MOSFET来取代传统的整流二极管，从而显著降低整流损耗，提升产品效率。性能优秀的场效应管能够提升DC-DC转换器的效率进而提升产品质量，今天给大家推荐一款适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管，其良好的制作工艺与参数性能能给DC-DC转换器做更好的适配，保障产品的可靠性。2024-11-28 -
新洁能 P沟道功率MOS管NCE60P82AK，常用于负载开关电路
功率MOSFET是一种具有优良开关特性的器件，其导通时的导通电阻RDS(ON)很小，关断时漏电流IDSS很小。此外，它的耐压范围很宽，从几十V到几百V，漏极电源范围宽，从几A到几十A，因此非常适合作负载开关。今天给大家推荐一款南山电子代理品牌新洁能（NCE）推出的新洁能P沟道功率MOS管NCE60P82AK，常用于负载开关电路，它能够快速切换电路的通断状态，适用于需要频繁开关等场合。2024-11-27 -
应用于高侧开关的P沟道MOSFET：新洁能 NCE60P25K MOS管规格参数/免费样品/最新价格
近年来随着MOS工艺的升级，PMOS的参数还是较NMOS差，但导通内阻<10m欧的PMOS型号越来越多了，今天就给大家推荐一款应用于高侧开关的P沟道MOSFET：新洁能 NCE60P25K MOS管，作为PMOS管，其不用电荷泵驱动，简单方便，还降低成本。2024-11-26 -
国产60V功率MOSFET NCE6080A中文资料/免费样品/NCE6080A现货价格
南山电子代理的NCE6080A是由中国功率器件上市公司新洁能（NCE）推出的一款N沟道通用型60V功率MOSFET，具备110W的功率承载能力，适用于最大60V的电压和高达80A的电流。采用TO-220-3L封装，具有出色的散热性和可靠性，广泛应用于电子电路设计中。南山电子仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，国产60V功率MOSFET NCE6080A最新现货价格请咨询南山电子官方网站在线客服。2024-11-25 -
新洁能N沟道增强型功率MOSFET NCE0115K：开关电源中的理想选择
开关电源是MOS管的一个非常重要的应用，这是因为MOS管开关速度快，通流能力强，非常适合在低压，大电流，中等功率（几百瓦）以下的应用，能有效提升电源转换效率。而开关电源的性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用，所以选择一款优质的MOS管是至关重要的，这里推荐新洁能N沟道增强型功率MOSFET NCE0115K：开关电源中的理想选择。2024-11-25 -
新洁能国产MOS管NCE0106Z：UPS不间断电源的解决方案
UPS不间断电源是一种将蓄电池与主机相连接，将直流电转换成市电的系统设备，可以提供稳定、可靠、高效的电力保障。MOS管作为UPS不间断电源的重要应用部件，必然需要使用优质的MOS管才能让UPS不间断电源发挥最大的作用。但在国产化的路径中，可以选择新洁能国产MOS管NCE0106Z：UPS不间断电源的解决方案。2024-11-23 -
新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K选型资料/ 应用分析/MOS管最新价格
N沟道沟槽型MOSFET是一种常见的功率MOSFET，通过采用先进的沟槽技术，实现了更低的导通损耗、更高的开关速度和更大的功率密度。之前的文章 - 新洁能12-200V N沟道沟槽型场效应管（N-Channel Trench MOSFET）系列产品介绍具体阐述了此类型MOSFET，今天南山电子给大家介绍该系列的一款新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K，广泛应用于电源开关、硬开关和高频电路以及不间断电源（UPS）等领域，具有非常好的使用稳定性。2024-11-22 -
新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S，满足充电器、适配器等需求
随着手机快充技术迅速发展，功率器件MOSFET，作为充电器、适配器等智能终端配套产品核心元器件之一，同样也迎来了发展契机。今天给大家推荐一款新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S，满足充电器、适配器等需求。这款新洁能品牌的N沟道MOSFET，工作电压为40V，连续漏极电流9A。具有较低的导通电阻，封装采用SOP8，适用于紧凑空间的电路设计，广泛应用于高性能电源和功率管理系统，可提供可靠的电流开关控制。2024-11-21 -
新洁能N沟道600-750V系列IGBT产品介绍/型号推荐/最新IGBT价格
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至750V的N沟道IGBT器件。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及所有的硬开关。N沟道600-750V系列IGBT产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。2024-11-20
电子元器件整合供应商
