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新洁能电动汽车电控中的应用MOS和IC型号推荐
在电动传动系统中，逆变器控制电机。这是电动汽车中的一个关键部分，就像燃油车辆的发动机管理系统(EMS)一样。无论电机是同步的、异步的还是无刷直流的，逆变器的工作方式都是相似的，由集成VCU控制，其设计目的是最大限度地减少开关损耗，提高热效率。逆变器不仅驱动电机，还能回收动能，并将能量反馈给电池。因此，逆变器的工作效率直接影响到整车运行效率。2022-11-22 -
NCEP039N10D：新洁能超级沟槽II代MOSFET的卓越性能与应用
在高效电源管理领域，MOSFET的性能直接决定了系统的能效与可靠性。新洁能（NCE）推出的NCEP039N10D：新洁能超级沟槽II代MOSFET，基于Super Trench II技术，以极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）为核心优势，成为高频开关和同步整流应用的标杆级解决方案。其100V耐压、135A高电流能力，以及优化的封装设计，尤其适合DC/DC转换器等高效能场景。2025-03-25 -
高性能60V/20A MOSFET：新洁能NCE6020AK的技术解析与应用优势
在功率电子领域，MOSFET作为核心开关器件，其性能直接决定了系统的效率与可靠性。新洁能（NCE）推出的 NCE6020AK 作为一款N沟道增强型功率MOSFET，凭借其优异的导通电阻、高密度单元设计及卓越的散热能力，成为电源切换、高频电路等场景的理想选择。以下是高性能60V/20A MOSFET：新洁能NCE6020AK的技术解析与应用优势介绍：2025-03-21 -
新洁能NCE60ND45AG：高性能N沟道增强型功率MOSFET的卓越之选
在功率电子领域，提升能效与可靠性始终是设计者的核心诉求。新洁能（NCE）推出的NCE60ND45AG N沟道增强型功率MOSFET，凭借其创新的沟槽技术与优化的器件设计，为高频开关电源、工业设备及新能源系统提供了高效能的解决方案。成为众多工程师在设计高性能电路时的首选。2025-03-19 -
NCE3008M新洁能增强型功率MOSFET：电池保护与开关应用的理想选择
在现代电子设备中，MOS 管作为核心的功率半导体器件，其性能直接影响到电路的效率与稳定性。新洁能（NCE）推出的NCE3008M增强型功率MOSFET，凭借其先进的沟槽技术、出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷以及低至 2.5V 的栅极电压工作能力，成为众多电池保护与开关应用的理想选择。2025-03-14 -
超级沟槽功率MOSFET：NCEP3065QU新洁能Mos管中文资料/样品申请/现货价格
NCEP3065QU是由新洁能（NCE）生产的高性能N沟道超级沟槽（Super Trench）功率MOSFET，采用先进的超沟槽技术，优化了高频开关性能，能够有效降低导通和开关损耗。它适用于高频开关和同步整流等应用，广泛应用于电源管理、电机驱动、通信等领域。以下是超级沟槽功率MOSFET：NCEP3065QU新洁能Mos管中文资料：2025-03-12 -
新洁能高性能功率MOS管NCEP60T12AK，高频高效、性能卓越
新洁能NCEP60T12AK 是一款基于超级沟槽技术优化的双场效应管（MOSFET），由无锡新洁能（NCE）研发生产。该MOS管专为高频开关应用设计，通过极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg），显著降低传导和开关损耗，适用于高效率电源转换场景。新洁能高性能功率MOS管NCEP60T12AK，高频高效、性能卓越，其独特的结构设计使其在高频环境中表现出色，广泛应用于工业电源和电力电子领域。2025-03-10 -
高性价比国产MOS管：NCE60P04Y新洁能P沟道MOSFET选型资料
NCE60P04Y是一款国产P沟道MOSFET，由无锡新洁能公司研发生产，专为低中功率开关电路设计。该MOS管采用先进的沟槽技术，具备高输入阻抗、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效电源管理和信号控制的场景。作为P沟道MOSFET，可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，对于需要优化系统能效和简化驱动电路的设计，NCE60P04Y提供了高性价比的国产化解决方案。2025-03-06 -
国产新洁能MOSFET NCEP25N10AK：高频开关和同步整流的理想选择
随着电子设备对高效能、高功率密度的需求日益增长，功率半导体器件的性能优化成为技术突破的关键。国产品牌新洁能推出的N沟道SGT-II系列功率MOSFET NCEP25N10AK，凭借其超低导通电阻（RDS(on)）、超低栅极电荷（Qg）以及高频开关特性，成为高频开关和同步整流领域的理想选择。2025-03-05 -
新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品介绍
SGT技术本身是一种先进的制造工艺，通过减小场效应晶体管的寄生电容及导通电阻，提升了芯片性能，并减少了芯片面积。与传统的沟槽型MOSFET相比，SGT技术能够在相同功耗下将芯片面积减少40%甚至更多。之前有相关文章介绍了新洁能N沟道SGT-I和SGT-II系列产品，今天来介绍新洁能新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品。2024-12-10 -
为您介绍新洁能车规级IGBT产品NCEA50ED65BT，NCEA75ED120BT，NCEA40ED120BT，NCEA40ED65BT，NCEA75ED65BT，NCEA100ED65BT，NCEA40ED75BT
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级IGBT器件，其覆盖范围为600V至1200V，均已通过AEC-Q101认证。基于先进的功率器件设计与晶圆制造技术，稳定可靠的封装技术，优异的质量管控，新洁能车规级IGBT产品NCEA50ED65BT，NCEA75ED120BT，NCEA40ED120BT，NCEA40ED65BT，NCEA75ED65BT，NCEA100ED65BT，NCEA40ED75BT目前已广泛应用在汽车领域，为汽车电子设计工程师提供了全面的产品选择。2024-12-09 -
新洁能1200-1400V IGBT系列产品信息/样品申请/最新IGBT价格
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1400V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。N沟道1200-1400V系列IGBT产品封装范围包括TO-264、TO-3P、TO-247等。2024-12-07 -
新洁能SiC MOSFET系列产品NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4
南山电子代理品牌新洁能（NCE）在目前已开发完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证，并实现小规模销售；并已开发更多的第三代半导体芯片代工厂，相关产品已实现工程产出。新洁能SiC MOSFET系列产品具体型号为：NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NC2024-12-06 -
新洁能车规级 MOSFET系列产品中文资料/Auto MOS管选型推荐/样品申请
南山电子代理品牌新洁能致力于为客户提供“零”缺陷的汽车功率器件产品，其提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOSFET器件电压覆盖范围为-150V至1050V，车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。2024-12-05 -
新洁能12-300V NP MOSFET系列产品介绍/免费样品/选型支持-新洁能代理
新洁能提供的12V~300V NP MOSFET系列产品，采用了先进的工艺制造技术和优化的器件结构，结合了N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的优点，具有出色的电气性能和广泛的应用领域。南山电子是新洁能公司授权代理商，仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，以下是新洁能12-300V NP MOSFET系列产品介绍, 如需选型支持可以联系南山半导体官方网站在线客服。2024-12-04 -
新洁能500-1050V N沟道超结 MOSFET系列产品介绍/选型资料/最新价格
超结技术是一种创新的半导体结构，通过优化电荷分布来降低导通电阻，同时保持高击穿电压，新洁能是国内率先掌握超结理论技术并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一。以下是新洁能代理商南山电子整理的新洁能500-1050V N沟道超结MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品请联系我们18251882769（唐经理）或者联系网站客服。2024-12-03 -
新洁能1500-1700V N沟道功率 MOSFET系列产品选型资料/免费样品/价格
南山电子代理品<a href="http://www.nscn.com.cn/NCE/">牌无锡新洁能股份有限公司</a>（以下简称“新洁能”）推出的<strong>新洁能1500V和1700V N沟道功率MOSFET系列产品</strong>，专为高电压、大功率应用而设计。该系列产品不仅具有出色的电气性能，还具备高可靠性和长寿命的特点，适用于各种恶劣工况下的应用。 南山电子为新洁能授权代理商/经销商，可以为您快速提供小批量<strong>新洁能1500-1700V N沟道功率 MOSFET系列产品</s2024-12-02 -
新洁能12-150V P沟道MOSFET系列产品介绍 - 新洁能（NCE）mos管代理
新洁能（NCE）是一家国内领先的功率半导体企业，专注于MOSFET和IGBT等产品的研发和生产。公司产品线非常丰富，涵盖了从低电压到高电压的各类MOSFET产品，包括N沟道、P沟道以及N+P沟道MOSFET。以下是新洁能授权代理商/经销商-南山电子整理的新洁能12-150V P沟道MOSFET系列产品介绍, 并为该系列型号快速提供小批量样品和最新价格报价，欢迎通过南山电子官网在线咨询或致电400-888-5058。2024-11-30 -
新洁能12-300V N沟道MOSFET系列产品介绍 /选型资料/订货价格
南山电子代理品牌新洁能（NCE）是国内MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）品类最齐全且产品技术领先的公司，公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。以下是新洁能12-300V N沟道MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品，可以联系南山半导体官方网站在线客服索取。2024-11-29 -
适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管
对于DC-DC转换器的效率提升，需要有低电压、大电流的MOS管来优化代换。同步整流技术通过使用具有低导通电阻的功率MOSFET来取代传统的整流二极管，从而显著降低整流损耗，提升产品效率。性能优秀的场效应管能够提升DC-DC转换器的效率进而提升产品质量，今天给大家推荐一款适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管，其良好的制作工艺与参数性能能给DC-DC转换器做更好的适配，保障产品的可靠性。2024-11-28
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